Особенности моделирования GaN HEMT
ВебинарВ рамках серии отраслевых онлайн-мероприятий приглашаем вас на экспертный вебинар с Алексеем Столяренко, руководителем отдела измерительного оборудования, ГК "Научное оборудование" и Евгением Харитоновым, к.т.н., руководителем проекта передовой инженерной школы ТУСУР.
На вебинаре спикеры рассмотрят ключевые аспекты моделирования мощных СВЧ-транзисторов на основе GaN HEMT: физические основы работы приборов, классификацию моделей (топологические, физические, поведенческие), а также основные эффекты, влияющие на точность моделирования: короткоканальные эффекты, влияние ловушек, нелинейность сопротивления областей доступа и другие.
Особое внимание будет уделено современным методам и средствам измерений, а также программным решениям для автоматизации процесса моделирования.
Кому будет интересен вебинар:
• Инженерам-разработчикам СВЧ-устройств и интегральных схем.
• Специалистам в области полупроводниковой электроники и моделирования.
• Исследователям, работающим с широкозонными материалами (GaN, GaAs, InP).
• Студентам и аспирантам технических специальностей, изучающим микроэлектронику и СВЧ-технику.
В рамках выступления спикеры поделятся практическими рекомендациями по выбору моделей, методам измерений и программному обеспечению, что делает его ценным ресурсом для профессионалов, стремящихся повысить точность и эффективность проектирования устройств на основе GaN HEMT.
Присоединяйтесь к обсуждению, задавайте вопросы экспертам!
